晶体管MOSFET FDS4488 描述
这n声道MOSFET是采用飞兆半导体生产安森美半导体先进的PowerTrench过程特别是针对已较大限度地减少通态性,但保持出色的开关性能。
这些装置非常适用于低电压和电池供电应用的低IN-线的功率损耗和快速开关是必需的。
晶体管MOSFET FDS4488 特点
•7.9 A, 30 V RDS ( ON)= 22毫欧@ VGS= 10 V
RDS ( ON)= 30毫欧@ VGS= 4.5 V
•低栅极电荷( 9.5 NC典型值)
•高性能沟道技术极低RDS ( ON)
•高功率和电流处理能力
晶体管MOSFET FDS4488 应用
•DC / DC转换器
•负荷开关
•电机驱动