应用领域
DC斩波器装置
牵引和大功率变频传动
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电力传输
HVIGBT性能特点 基板：有AlSiC和Cu两种
额定电压：1700V至6500V
额定电流：200A至2400A
绝缘电压：4.0kVrms至10.2kVrms
N系列：CSTBTTM硅片工艺，进一步降低损耗，缩小模块体积
H系列：平板型IGBT硅片工艺，性已得到业界公认
N系列B型：CSTBTTM硅片工艺，封装可与H系列兼容
R系列：额定电流提升到1500A；封装尺寸与 H 系列兼容；高短路鲁棒性设计；运行温度范围由-40~125°C 扩大到-50~ 150° C；小存贮温度由-40℃扩展到-55℃。
续流二极管：采用软恢复特，良好的EMI性能。
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高压IGBT模块
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价 格：免费咨询行业专家- 最小采购量：个
- 联系人姓名：王先生
成效数据 发布时间: 134人浏览过 263人索取联系 0条客户询盘 搜索引擎收录概况 商家产品数2个 100%收录 100%收录 100%收录 50%收录 100%收录
上海合美电子科技有限公司
三菱
贴上您的名片
扫描二维码进入虎易小程序投放名片，只需充值少量虎币，即可张贴名片至
该产品“同类优质商家”栏目下，以相当低的成本获得大量曝光。
投放说明
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名片曝光使用说明
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