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PN8307H内置功率MOS PD快充芯片
PN8307H概述：
骊微电子代理的PN8307H包括同步整流控制器及高雪崩能力功率MOSFET，用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8307H内置电压降极低的功率MOSFET以提高电流输出能力，提升转换效率，使得系统效率可以满足6级能效的标准，并留有足够的裕量。PN8307H集成了极为全面的辅助功能，包含输出欠压保护、防误开启、最小导通时间等功能。
PN8307H产品特征：
■ 内置11mΩ 60V Trench MOSFET
■ 适用于3.6V-20V宽供电范围工作
■ 适用于DCM和QR工作模式
■ 自适应次级电流检测电路
■ 优异全面的辅助功能
² 欠压保护
² 防误开启
² 最小导通时间
PN8307H应用领域：
■ QC3.0充电器及适配器
■ 适配器
骊微电子专业从事半导体分立器件及集成电路的开发、生产与销售，不仅能为客户提供最新的产品、库存，也可为客户提供相关的开发工具，与PDF技术资料。 亦可满足客户对各大品牌IC的供应需求，为客户提供完善的技术支持与产品方案。其中包括自主封装生产二三极管产品及国内外一些品牌电源管理IC代理销售！
