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华科智源大功率IGBT测试系统，IGBT动态参数测试仪
华科智源大功率IGBT测试系统设备主要针对IGBT及MOS管的测试仪，适用于芯片设计，产线封装测试及新能源汽车，风力发电，地铁交通等领域的大功率器件及模块测试，设备模块化程度高，测试稳定性及测试精度在客户端已经广泛使用。可以根据就用户需求进行定制。华科智源专业提供动态参数测试|IGBT测试仪|雪崩能量测试仪|IPM测试仪|分立器件测试系统。
3技术要求
3.1整体技术指标
3.1.1 功能与测试对象
1）功能
华科智源大功率IGBT测试系统，IGBT动态参数测试仪，测试单元具备测试IGBT模块动态参数测试。具体测试参数及指标详见表格4~11。
2）测试对象
被测器件主要IGBT模块。
3.1.2 IGBT模块动态测试参数及指标
华科智源大功率IGBT测试系统，IGBT动态参数测试仪，测试单元对IGBT模块和FRD的动态参数及其他参数的定义满足国际标准.
以下参数的测试可以在不同的电压等级、电流等级、温度、机械压力、回路寄生电感以及不同的驱动回路参数下进行。
1）图2 IGBT开通过程及其参数定义动态测试参数
IGBT的开通和关断波形及其相关参数的定义如图2、图3所示。
图2 IGBT开通过程及其参数定义
图3 IGBT关断过程及其参数定义
表格2 可测量的IGBT动态参数
参数名称 | 符号 | 参数名称 | 符号 |
开通延迟时间 | td(on) | 关断延迟时间 | td(off) |
上升时间 | tr | 下降时间 | tf |
开通时间 | ton | 关断时间 | toff |
开通损耗 | Eon | 关断损耗 | Eoff |
栅极电荷 | Qg | ||
短路电流 | ISC | / | / |
可测量的FRD动态参数
参数名称 | 符号 | 参数名称 | 符号 |
反向恢复电流 | IRM | 反向恢复电荷 | Qrr |
反向恢复时间 | trr |
图2 IGBT开通过程及其参数定义动态测试参数指标
表格4 IGBT动态测试参数指标
主要参数 | 测试范围 | 精度要求 | 测试条件 |
Vce 集射极电压 | 50～1500V | 200～500V±3%±1V； 500～1000V±2%±2V； 2000～1500V±1%±5V； | 200～1500V |
Ic 集射极电流 | 50～1000A | 200～500A±3%±1A； 500～1000A±3%±2A； 1000A～4000A±2%±5A； | 200～1000A |
3.1.4华科智源大功率IGBT测试系统，IGBT动态参数测试仪保护安全功能
本测试单元应具备完善的保护功能，除可有效保护操作人员不受事故伤害外，还在发生故障时不会造成设备自身的较大损坏，通过采取更换小型部件的方式即可修复。保护功能包括但不限于如下功能：
l *高压测试前可选低压预测试验证系统安全及连接良好
l *完备的人身安全防护
l 测试结束电容自动放电
l 测试过程中短路保护（非短路测试）
l *被测器件防爆保护
3.3主要技术要求
3.3.1 华科智源大功率IGBT测试系统，IGBT动态参数测试仪动态参数测试单元技术要求
3.3.1.1 环境条件
1) 海拔高度：海拔不超过1000m；
2) 温度：储存环境温度 -20℃～60℃；
3) 工作环境温度： -5℃～40℃；
4) 湿度：20%RH 至 90%RH (无凝露，湿球温度计温度: 40℃以下)；
5) 震动：抗地震能力按7级设防，地面抗震动能力≤0.5g；
6) 防护：无较大灰尘，腐蚀或爆炸性气体，导电粉尘等空气污染的损害；
3.3.1.2华科智源大功率IGBT测试系统，IGBT动态参数测试仪
华科智源大功率IGBT测试系统设备主要针对IGBT及MOS管的测试仪，适用于芯片设计，产线封装测试及新能源汽车，风力发电，地铁交通等领域的大功率器件及模块测试，设备模块化程度高，测试稳定性及测试精度在客户端已经广泛使用。可以根据就用户需求进行定制。华科智源专业提供动态参数测试|IGBT测试仪|雪崩能量测试仪|IPM测试仪|分立器件测试系统。
