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4842mos管sop-8场效应管双N沟道高功率MOSFET
4842是一款常见的金氧半场效晶体管（MOSFET），广泛应用于各种模拟电路与数字电路中。耗散功率为2000（mW）。
4842mos管由沟槽加工技术设计而成实现极低的导通电阻。 并快速切换速度和改善转移有效。 这些功能结合使这个设计非常有效和适用于各种DC-DC应用的可靠设备。
4842mos管特征：
种类：绝缘栅(MOSFET)
沟道类型：N沟道
导电方式：增强型
用途：V-FET/V型槽MOS
封装外形：SMD(SO)/表面封装
材料：N-FET硅N沟道
开启电压：20（V）
夹断电压：60（V）
漏极电流：4500（mA）
耗散功率：2000（mW）
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