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Bitmap 产品型号HG302C(即hg302C、HG-302C、hg-302C)
品牌：AKM(旭化成)
霍尔特性：GaAs砷化镓高灵敏度型霍尔
工作温度：-40°C～125°C
电压：55mV
输入阻抗：650Ω
输出阻抗：650Ω
封装：4-pin SIP ;DIP-4
包装：500 pcs/袋
备注：In stock/ New original packing/ Rohs无铅环保
HG302C 与THS119可以互相替代
HG302C广泛应用于
开环霍尔效应电流传感器、钳流表
GaAs砷化镓作为第二代半导体，其电子迁移率比硅高6倍，砷化镓成为超高速、超高频器件和集成电路的必需品。砷化镓单晶因其价格昂贵而素有“半导体贵族”之称，制成的半导体器件相对于传统的硅半导体具有高频、高温、低温性能好、噪声小、抗辐射能力强等优点，这就使得使用该材料制作的霍尔线性器件具有更高的性和稳定性，更适合用于安全性、速度要求更高的领域(诸如安防、精密设备制造等)。
