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14/16nm FinFET制程节点象征着产业今后发展的主流方向，但完全耗尽型(FD)和极薄的SOI制程也有机会，GlobalFoundries公司产品经理Michael Medicino表示。
有些对成本敏感的行动晶片由于考虑到成本将会避免采用14nm和10nm FinFET制程，而且时间可能长达4至6年。SOI可说是为其提供了另一种替代方案，它能以接近28nm聚合物电晶体的成本，达到20nm bulk电晶体的性能，不过他认为在市场压力下所有的bulk电晶体成本还会进一步下降。
Mendicino预计SOI替代技术在未来三年中占据约10%的代工业务比重，不过他强调这只是猜测。“三年后再问我吧！”他打趣道。
此外，联发科(Mediatek)高性能处理器技术总监Alice Wang介绍一个次阈值设计的案例。该公司的远大目标在于推动晶片达到漏电流和动态能量交会的小能量点，这同时也是在她的博士论文和ISSCC 2004论文中提出的一个概念。
